(16 ott) Si chiama Fabio Soci. Ha 27 anni ed è di Pavullo, comune della Provincia di Modena. Nel 2009 ha conseguito la laurea triennale in Ingegneria Elettronica all’Università degli studi di Modena e Reggio Emilia con una tesi dal titolo “Realizzazione di una solar harvester per applicazioni low power”. Due anni più tardi, invece, ha concluso il corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica, conseguendo il titolo col punteggio di 110 e lode. A lui – oggi dottorando del Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” dell’Università degli studi di Modena e Reggio Emilia – nei giorni scorsi a Glasgow, in Scozia, è andato un riconoscimento internazionale, l’“Honourable Mention Best Student Paper Award”, per il suo lavoro dedicato a transistor realizzati con nitruro di gallio. L’uso di un materiale innovativo per lo sviluppo di nuove tecnologie nel campo dell’industria elettronica è, infatti, al centro dello studio di Soci che è stato premiato durante la conferenza HEterostructure TECHnologies-HETECH2013. La giuria, impegnata a valutare i numerosi lavori presentati, ha particolarmente apprezzato lo studio del giovane dottorando modenese dal titolo “Studio delle variazioni della tensione di soglia ed estrazione del profilo delle trappole nell’ossido in MIs-HEMT al AlGaN/GaN”, nella quale si propone un’analisi dei meccanismi che provocano l’instabilità della tensione di soglia nei transistor HEMT realizzati con nitruro di gallio: un composto chimico che si candida a sostituire il silicio e a rivoluzionare, prima fra tutti, l’industria elettronica. “Grazie alle eccellenti proprietà fisiche del nitruro di gallio – ha sottolineato Soci – questi dispositivi permettono di realizzare sistemi per la conversione di potenza energeticamente più efficienti e più compatti rispetto ai sistemi attuali e, quindi, si propongono come principale alternativa del silicio nel campo dell’elettronica di potenza”. “Le tecniche di misura presentate nell’articolo – ha aggiunto, invece, Alessandro Chini, supervisore di Fabio Soci – consentono un’approfondita analisi dei meccanismi d’intrappolamento di carica che compromettono la stabilità e l’affidabilità dei transistor, ma soprattutto permettono di effettuare significativi confronti tra famiglie di dispositivi realizzate con processi differenti, aspetto più che mai importante nello sviluppo di una nuova tecnologia”. (Gil)
